離子鍍是1950年代初在美國開發(fā)的技術(shù)，屬于航空技術(shù)的一部分。該技術(shù)一經(jīng)研發(fā)，便有了迅速的發(fā)展。它由于對切削工具和模具的耐用性的提高非常有效，因而應(yīng)用十分廣泛，遍布全球。真空離子鍍膜設(shè)備是通過對熱量以及來自等離子體的能量的利用，在真空環(huán)境中將金屬蒸發(fā)，使其與反應(yīng)性氣體結(jié)合，然后將其用于轟擊基材，最終成膜。比之傳統(tǒng)的浸泡鍍膜，它有優(yōu)越的耐磨性和粘附性。
對于壓力在10?3Pa~10??Pa范圍內(nèi)的真空離子鍍膜設(shè)備的設(shè)計結(jié)構(gòu)有以下要求：
1、電阻值。根據(jù)GB/T 11164一99標(biāo)準(zhǔn)中的規(guī)定，來決定真空室所接不同電位間的絕緣電阻值的大小。
2、離子轟擊電源。離子鍍膜機(jī)通常具有基材負(fù)偏壓和離子轟擊電源，離子轟擊電源應(yīng)具備將非正常放電有效抑制的功能，以達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
3、基材架?；募芘c真空室體之間應(yīng)有絕緣設(shè)計，基材架的設(shè)計要考慮基材鍍制的膜層均勻問題。
4、加熱系統(tǒng)。加熱系統(tǒng)需要合理的布置，加熱器結(jié)構(gòu)布局要考慮到基材的溫升均勻問題。
5、沉積源。設(shè)計離子鍍沉積源要充分考慮鍍膜過程中的離化率問題，將離化率盡可能地提高，同時提高了靶材利用率。沉積源的功率要合理匹配，沉積源在真空室體的位置同樣需要合理的布置。
6、觀察窗結(jié)構(gòu)。真空鍍膜室設(shè)有觀察窗，在此觀察窗上設(shè)置擋板。要求觀察窗可觀察到沉積源以及其他關(guān)鍵部位的工作狀態(tài)。
7、蒸汽與油的捕集。若設(shè)備使用的抽氣系統(tǒng)是以擴(kuò)散泵為主泵，則要合理設(shè)置油蒸氣捕集阱。
8、屏蔽與測量裝置。真空測量規(guī)管安裝于低真空和高真空管道上及真空鍍膜室上，可分別各部位的真空度進(jìn)行測量。若電場干擾了測量，應(yīng)安裝電場屏蔽裝置于測量口處，用以阻截該電場。
9、密封裝置的結(jié)構(gòu)。根據(jù)GB/T 6070標(biāo)準(zhǔn)中的規(guī)定，來決定設(shè)備中的真空管道、密封圈、密封法蘭等裝置的結(jié)構(gòu)型式。
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