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高功率脈沖濺射等離子體研究方面取得進(jìn)展_蘇州粵輝煌專(zhuān)注微弧氧化設(shè)備整體解決方案

高功率脈沖濺射等離子體研究方面取得進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2022-10-06閱讀量:1483

物質(zhì)的第四態(tài)是等離子體。物理/化學(xué)氣相沉積基于低溫等離子體放電(PVD/CVD)技術(shù)是制備各種先進(jìn)功能膜和防護(hù)涂料材料的重要手段。高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)作為一種新型PVD該技術(shù)因其離化率高、易于實(shí)現(xiàn)致密、光滑、大面積均勻的優(yōu)質(zhì)薄膜制備而備受關(guān)注。近幾年來(lái),中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所碳基薄膜材料技術(shù)團(tuán)隊(duì)圍繞HiPIMS涂層裝備研制、等離子體放電分析、涂層應(yīng)用驗(yàn)證等方面,開(kāi)展了深入細(xì)致的研究。

首先,在中國(guó)科學(xué)院重大設(shè)備開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的資助下,團(tuán)隊(duì)通過(guò)HiPIMS磁控源模塊、電源模塊(與哈爾濱工業(yè)大學(xué)合作)、真空-水-電-氣路PLC控制系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)和加工集成,在我國(guó)早期開(kāi)發(fā)了高功率脈沖磁控濺射復(fù)合涂層裝置。等離子體放電穩(wěn)定,金屬離化率高,運(yùn)行可靠。以金屬Cr為例,HiPIMS離化率高達(dá)50%(傳統(tǒng)直流濺射)<5%)等離子體密度為1.3×1019/m3(比直流濺射高3-4個(gè)數(shù)量級(jí))。使用該設(shè)備,團(tuán)隊(duì)相繼進(jìn)行HiPIMS制備非晶碳膜,MoS研究2潤(rùn)滑膜和氮基硬涂層(App. Surf. Sci. 283(2013)321,Surf. Coat. Technol. 228(2013)275,J. Mater. Sci. Technol. 31(2015)1193),并將其擴(kuò)展應(yīng)用于硼基耐腐蝕涂層,MAX形成了8項(xiàng)核心發(fā)明專(zhuān)利(9).5,20.7,4.2,9.2,4.8等)。

團(tuán)隊(duì)在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn),進(jìn)一步比較國(guó)內(nèi)外同行的研究,HiPIMS由于直流復(fù)合脈沖的高功率,金屬的高離化率并不總是可(AIP Advances, 8(2018) 015132)。針對(duì)這個(gè)問(wèn)題,團(tuán)隊(duì)建立了HiPIMS結(jié)合探針/光譜對(duì)等離子體的原位診斷,分析了金屬類(lèi)型、二次電子發(fā)射系數(shù)、濺射產(chǎn)量和電離能對(duì)靶表面電離過(guò)程的影響(IEEE T Plas ** Sci. 47 (2019) 1215),提出了HiPIMS脈沖放電的四個(gè)階段特征。在高電壓下發(fā)現(xiàn)更高的電壓很重要HiPIMS在光放電過(guò)程中,正常光轉(zhuǎn)化為異常光。結(jié)果表明,只有HiPIMS放電進(jìn)入異常光區(qū),實(shí)際獲得金屬高離化(Phys. Plas ** s, 24 (2017) 083507)。此外,即使對(duì)于難電離的非金屬碳,在異常光照區(qū)域調(diào)節(jié)脈沖寬度也可以實(shí)現(xiàn)C的高離化率放電。

HiPIMS本征沒(méi)有高離化率,同等條件下不同元素的離化率差異明顯

HiPIMS脈沖放電的四個(gè)階段特征和正常光向異常光的轉(zhuǎn)變

Cr例如,隨著脈沖偏壓的增加,原子密度降低,但離子密度增加

圖4 不同類(lèi)型濺射模式的沉積示意圖

除了上述HiPIMS了解靶表面區(qū)域的放電特性,如何定量分析近基體區(qū)域的等離子體(如活性粒子類(lèi)型、離子密度和原子密度),是影響涂層生長(zhǎng)的另一個(gè)放電基本內(nèi)涵。盡管使用發(fā)射光譜儀(OES)可測(cè)量活性粒子種類(lèi),朗格繆爾探針可測(cè)量離子密度,但基態(tài)原子密度的準(zhǔn)確測(cè)量目前非常困難。為此,通過(guò)對(duì)發(fā)射光譜儀的改造,團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了近基體表面區(qū)2cm可靠收集厚度內(nèi)光發(fā)射信號(hào)。并基于提出HiPIMS等離子體中基態(tài)金屬原子密度的精確計(jì)算是濺射級(jí)聯(lián)碰撞-輻射金屬原子的密度。發(fā)現(xiàn)增加HiPIMS脈沖電壓能有效降低沉積區(qū)金屬原子含量,顯著提高離子含量,實(shí)現(xiàn)不同濺射模式的轉(zhuǎn)變,獲得HiPIMS高離化率放電是實(shí)現(xiàn)涂層精細(xì)結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)的關(guān)鍵。英國(guó)皇家物理學(xué)會(huì)最近發(fā)表了相關(guān)成果(IOP)等離子體科學(xué)期刊(Plas ** Sources Science and Technology, 29 (2020) 015013)。

國(guó)家自然科學(xué)基金()獲得上述研究工作,中國(guó)科學(xué)院試點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)(XDA)、2018年,中國(guó)科學(xué)院王寬誠(chéng)率先人才計(jì)劃和寧波2025專(zhuān)項(xiàng)(2018年)B資助10012等項(xiàng)目。


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